No processo de fabricação do substrato SiC (carboneto de silício), o corte do lingote de SiC é uma etapa crucial. Não só determina diretamente a qualidade da superfície e a precisão dimensional do substrato, mas também tem uma influência decisiva no controle de custos. Os principais parâmetros determinados pelo processo de corte, como rugosidade superficial (Ra), desvio de espessura total (TTV), empenamento (BOW) e flexão (WARP), têm um impacto profundo na qualidade final, rendimento e custo de produção do substrato. . Além disso, a qualidade do corte também está diretamente relacionada à eficiência e ao custo dos processos subsequentes de retificação e polimento. Portanto, o desenvolvimento e o progresso da tecnologia de corte de lingotes de SiC são de grande importância para melhorar o nível de toda a indústria de fabricação de substrato de carboneto de silício.
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Lâmina de serra de diamante, lâmina de serra circular, eliminação, grande diferença de Ra, grande empenamento, fenda larga, velocidade lenta, baixa precisão, ruído alto
Faísca elétrica: fio + corrente, eliminada, fenda larga, grande espessura da camada de queimadura superficial
Linha de argamassa: fio de aço inoxidável banhado a cobre + argamassa, wafer fino, alto rendimento, baixa perda, velocidade lenta e baixa precisão, poluição, baixa vida útil da serra de fio
Fio diamantado: abrasivo consolidado + fio diamantado, alta eficiência, fenda estreita, proteção ambiental, camada de dano profundo, desgaste rápido da linha, empenamento do substrato
Primeiro, o status quo da tecnologia de corte de lingotes de SiC
Com o avanço da ciência e da tecnologia, a tecnologia de corte de lingotes de SiC fez um progresso notável. Atualmente, a tecnologia de corte convencional inclui principalmente corte com fio de argamassa, corte com fio diamantado e tecnologia de decapagem a laser. Essas tecnologias diferem em eficiência de corte, qualidade de superfície, custo, etc., fornecendo uma variedade de opções para fabricação de substrato de SiC.
Em segundo lugar, a principal análise das características da tecnologia de corte
1. Corte com fio de argamassa: Como uma tecnologia de corte tradicional, o corte com fio de argamassa corta o lingote de SiC através da linha que contém abrasivo e argamassa. Embora este método seja de baixo custo e fácil de aplicar na produção em massa, seu corte é lento e pode deixar uma camada profundamente danificada na superfície do substrato, afetando a eficiência do processamento subsequente e a qualidade do substrato.
2. Corte com fio diamantado: A tecnologia de corte com fio diamantado utiliza partículas de diamante como abrasivos para cortar lingotes de SiC através de linhas rotativas de alta velocidade. Este método não só possui velocidade de corte rápida, mas também camada superficial de danos superficiais, o que ajuda a melhorar a qualidade e o rendimento do substrato. Portanto, a tecnologia de corte de fio diamantado é gradualmente amplamente utilizada no campo de fabricação de substrato de SiC.
3. Tecnologia de decapagem a laser: A tecnologia de decapagem a laser é um método de corte emergente, que utiliza o efeito térmico do feixe de laser para separar o lingote de SiC. Esta tecnologia pode proporcionar cortes muito precisos, reduzindo significativamente os danos ao substrato e melhorando assim a qualidade do substrato. No entanto, devido ao custo relativamente alto atualmente, a tecnologia de decapagem a laser é usada principalmente em campos de alta tecnologia.
Terceiro, o impacto da tecnologia de corte na qualidade do substrato e nos processos subsequentes
A escolha da tecnologia de corte não afeta apenas a qualidade direta do substrato de SiC, mas também tem um impacto importante no seu processamento subsequente. A tecnologia de corte de alta qualidade pode reduzir danos à superfície do substrato, reduzir a dificuldade e o custo de retificação e polimento, melhorando assim a eficiência e eficácia de todo o processo de produção. Portanto, no processo de fabricação do substrato SiC, é muito importante escolher a tecnologia de corte correta.
Em resumo, o desenvolvimento e o progresso da tecnologia de corte de lingotes de SiC são de grande importância para melhorar a qualidade, a eficiência e o controle de custos do substrato de SiC. Com o progresso contínuo da ciência e da tecnologia e a intensificação da concorrência no mercado, a futura tecnologia de corte de lingotes de SiC se desenvolverá na direção de ser mais eficiente, mais precisa e mais econômica. Ao mesmo tempo, com o rápido desenvolvimento de novos campos de energia, semicondutores e outros campos, a demanda do mercado por substrato de SiC continuará a crescer, proporcionando um amplo espaço e oportunidades para o desenvolvimento da tecnologia de corte de lingotes de SiC.
