No campo de materiais semicondutores, o carboneto de silício (SiC), com sua excelente condutividade térmica, características de amplo intervalo de banda, alta intensidade de campo elétrico de ruptura e alta mobilidade de elétrons, está gradualmente se tornando um ponto de acesso de pesquisa e desenvolvimento, liderando a inovação de uma nova geração de dispositivos eletrônicos. Como material de substrato para componentes-chave, as amplas perspectivas de aplicação do carboneto de silício são evidentes, desde eletrônica de potência de alta eficiência até chips de comunicação de alta frequência, sua figura está em toda parte. No entanto, a dureza extremamente elevada dos materiais de carboneto de silício (dureza Mohs de cerca de 9,5) é como uma faca de dois gumes, proporcionando excelentes propriedades físicas, mas também criando numerosos obstáculos ao seu processamento.

Diante do difícil problema de polimento e retificação substrato de carboneto de silício, os métodos de processamento tradicionais são muitas vezes inadequados, ineficientes e dispendiosos. É neste contexto que a tecnologia de retificação por reação induzida por fricção metálica surgiu e abriu um novo caminho para o processamento eficiente de carboneto de silício. Esta tecnologia utiliza habilmente a reação química produzida pela fricção de metal e carboneto de silício em alta temperatura, através da formação e remoção contínua da camada metamórfica de reação, para alcançar alta velocidade e baixa remoção de danos de materiais de carboneto de silício. Esta inovação não só supera os problemas de processamento causados ​​pela alta dureza do carboneto de silício, mas também melhora significativamente a eficiência de processamento e a qualidade da superfície.

Vale ressaltar que a tecnologia de retificação por reação induzida por fricção metálica precisa ser aplicada sob condições precisamente controladas para evitar a decomposição do carboneto de silício em altas temperaturas e a formação de compostos instáveis ​​com o metal, exacerbando assim o desgaste da ferramenta. Os dados experimentais mostram que a seleção de metais adequados (como ferro, níquel puro) como meio de fricção pode conseguir a remoção diferenciada e eficiente de diferentes superfícies do substrato de carboneto de silício (carbono e silício). Devido à sua estabilidade estrutural, a qualidade da superfície de carbono é quase livre de danos. Embora existam defeitos cristalinos na superfície do silício, a taxa de remoção de material pode chegar a 534µm/h sob o atrito do níquel puro, mostrando o grande potencial desta tecnologia sob certas condições.

Olhando para o futuro, espera-se que a tecnologia de retificação por reação induzida por fricção metálica alcance uma aplicação mais ampla no campo de processamento de substrato de carboneto de silício. Com o aprofundamento da pesquisa e a maturidade da tecnologia, espera-se que a tecnologia se expanda para o processamento de wafers de carboneto de silício de grande porte e melhore ainda mais a eficiência de fabricação e o rendimento de dispositivos de carboneto de silício. Ao mesmo tempo, combinado com outras tecnologias de processamento avançadas, como polimento de ultraprecisão e processamento assistido por laser, espera-se alcançar uma otimização abrangente do processamento de materiais de carboneto de silício e promover a indústria de semicondutores de carboneto de silício a um novo patamar.

Em suma, os desafios e oportunidades de processamento de substrato de carboneto de silício coexistem, e o surgimento da tecnologia de retificação por reação induzida por fricção metálica fornece uma solução inovadora para este problema. Com o progresso contínuo da tecnologia e a expansão contínua dos campos de aplicação, os materiais semicondutores de carboneto de silício certamente desempenharão um papel mais importante no desenvolvimento futuro da ciência e tecnologia eletrônica.