Bolacha SiC de carboneto de silício

O wafer de carboneto de silício, uma nova geração de materiais semicondutores, pode ser usado para fabricar uma variedade de dispositivos eletrônicos, como transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET), diodo Schottky, fotodiodo, etc.

Marca:
ATCERA
Item Nº.:
AT-SIC-JP001N

Materiais
SiC
Formas
Substrate
Aplicativos
Semiconductor

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Propriedades da wafer de carboneto de silício

O componente eletrônico baseado em carboneto de silício tem boa dissipação de calor, alta condutividade elétrica, alta resistência do campo elétrico de decomposição, grande lacuna de energia, boa resistência à corrosão, pode atender aos requisitos de alta potência, baixa perda e componentes de alta frequência e pode manter longos desempenho estável a longo prazo em ambientes agressivos.

1. Baixa perda de energia: a perda de comutação e a perda liga-desliga do módulo de carboneto de silício são significativamente menores do que as do módulo IGBT convencional, e com o aumento da frequência de comutação, maior a diferença de perda com o módulo IGBT;

2. Tamanho pequeno do pacote: o tamanho dos componentes eletrônicos de carboneto de silício é menor do que os componentes baseados em silício da mesma especificação e tem menos perda de energia, portanto pode fornecer maior densidade de corrente;

3. Comutação de alta frequência: a taxa de desvio de saturação eletrônica do material de carboneto de silício é duas vezes maior que a do silício, o que ajuda a melhorar a frequência operacional dos componentes;

4. Resistência a altas temperaturas, boa dissipação de calor: a largura da banda de carboneto de silício e a condutividade térmica são cerca de 3 vezes maiores que a do silício, para que possa suportar temperaturas mais altas, o calor gerado é mais fácil de liberar, o que favorece a miniaturização e leveza do sistema .

Aplicações de wafer de SiC

Os componentes de carboneto de silício podem atender melhor às necessidades de alta temperatura, alta tensão, alta frequência e grande potência, e são amplamente utilizados em veículos elétricos, geração de energia fotovoltaica, trânsito ferroviário, data centers, pilhas de carregamento e outros produtos e equipamentos .

1. Dispositivos de alta potência (tipo condutor): o componente de carboneto de silício possui alta condutividade térmica, alta intensidade do campo elétrico de ruptura, baixa perda de energia, adequado para a produção de dispositivos de alta potência, como módulos de potência, módulos de acionamento, etc.

2. Dispositivos eletrônicos de radiofrequência (tipo semi-isolado): o componente de carboneto de silício tem alta condutividade, pode atender às necessidades de trabalho de alta frequência, adequado para amplificadores de potência de RF, dispositivos de microondas e interruptores de alta frequência;

3. Dispositivos fotoeletrônicos (tipo semi-isolado): o componente de carboneto de silício possui amplo gap de energia e alta estabilidade térmica, adequado para produção de fotodiodos, células solares e diodos laser e outros dispositivos;

4. Sensor de temperatura (tipo condutor): o componente de carboneto de silício possui alta condutividade térmica e estabilidade térmica, adequado para produção de ampla faixa de trabalho e sensor de temperatura de alta precisão.

Tabela de tamanhos para wafer de carboneto de silício

Estamos comprometidos em fornecer wafer de carboneto de silício ideal, adaptado às suas especificações exatas. Nossa equipe dedicada garante o cumprimento meticuloso de suas instruções, esforçando-se para superar as expectativas do cliente. Além disso, oferecemos flexibilidade de tamanhos personalizados para atender às suas necessidades exclusivas.

Tamanho, parâmetro de material e requisitos de processamento serão fornecidos se solicitação de design personalizado.

Enviar requisitos para design personalizado

Tolerância de usinagem:

1. Diâmetro: ±0,25mm

2. Espessura: ±25μm

3. Orientação do cristal: <001> ±0,5°

4. Orientação da face do cristal: ±0,5°

5. Orientação da borda: ≤2°

Outro parâmetro entre em contato com ATCERA.

Drawing of Silicon Carbide Wafer Conductive

Wafer condutor de carboneto de silício
Item Nº.	Diâmetro (polegada)	Espessura (mm)
AT-SIC-JP001N	2	0,35
AT-SIC-JP002N	3	0,35
AT-SIC-JP003N	4	0,35
AT-SIC-JP004N	6	0,35
AT-SIC-JP005N	2	0,5
AT-SIC-JP006N	3	0,5
AT-SIC-JP007N	4	0,5
AT-SIC-JP008N	6	0,5

Drawing of SiC Substrate Round

Rodada de substrato de SiC
Item Nº.	Diâmetro (polegada)	Espessura (mm)
AT-SIC-CD101	2	2
AT-SIC-CD102	3	3
AT-SIC-CD103	4	4
AT-SIC-CD104	6	2
AT-SIC-CD105	8	3

Dados técnicos de materiais de

Métodos Limpos

As bolachas de carboneto de silício precisam ser limpas antes do uso para remover sujeira e impurezas da superfície.

1. Coloque o wafer de carboneto de silício em água destilada, deixe de molho por um período de tempo e depois limpe suavemente a superfície com um pano macio antes de retirá-lo;

2. Coloque um agente de limpeza químico, deixe de molho por um período de tempo e depois retire;

3. Retire o wafer de carboneto de silício limpo, enxágue a superfície com água, retire-o e seque-o;

4. No processo de limpeza, evite usar atrito mecânico muito intenso ou aquecimento em alta temperatura e certifique-se de que o ambiente e as ferramentas de limpeza estejam limpos para evitar poluição.

Informações valiosas

Embalagem de substrato de SiC

Os substratos de SiC são cuidadosamente embalados em recipientes apropriados para evitar qualquer dano potencial.

Vantagens de personalização

1. De acordo com o seu cenário de aplicação, analise as necessidades, escolha o material adequado e o plano de processamento.

2. Equipe profissional, resposta rápida, pode fornecer soluções e orçamentos em até 24 horas após a confirmação da demanda.

3. Mecanismo de cooperação empresarial flexível, suporta pelo menos uma peça de personalização de quantidade.

4. Forneça amostras e relatórios de teste rapidamente para confirmar se o produto atende às suas necessidades.

5. Forneça sugestões de uso e manutenção do produto para reduzir o custo de uso.

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Perguntas frequentes

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Embora nosso foco principal seja em materiais cerâmicos avançados, como alumina, zircônia, carboneto de silício, nitreto de silício, nitreto de alumínio e cerâmica de quartzo, estamos sempre explorando novos materiais e tecnologias. Se você tiver uma necessidade específica de material, entre em contato conosco e faremos o possível para atender às suas necessidades ou encontrar parceiros adequados.

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Absolutamente. Nossa equipe técnica possui profundo conhecimento de materiais cerâmicos e ampla experiência em design de produtos. Temos o prazer de fornecer conselhos sobre seleção de materiais e suporte no design de produtos para garantir o desempenho ideal de seus produtos.

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Não temos um requisito de valor mínimo fixo para pedido. Sempre nos concentramos em atender às necessidades de nossos clientes e nos esforçamos para fornecer serviços e produtos de qualidade, independentemente do tamanho do pedido.

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Além dos produtos cerâmicos, também oferecemos uma gama de serviços adicionais, incluindo, mas não se limitando a: serviços de processamento cerâmico customizados de acordo com suas necessidades, utilizando blanks ou blanks semiacabados produzidos por você; se você estiver interessado em serviços terceirizados de embalagem cerâmica e metalização, entre em contato conosco para mais discussões. Estamos sempre comprometidos em fornecer a você uma solução completa para atender às suas diversas necessidades.

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