Bolacha SiC de carboneto de silício

Propriedades da wafer de carboneto de silício

O componente eletrônico baseado em carboneto de silício tem boa dissipação de calor, alta condutividade elétrica, alta resistência do campo elétrico de decomposição, grande lacuna de energia, boa resistência à corrosão, pode atender aos requisitos de alta potência, baixa perda e componentes de alta frequência e pode manter longos desempenho estável a longo prazo em ambientes agressivos.

1. Baixa perda de energia: a perda de comutação e a perda liga-desliga do módulo de carboneto de silício são significativamente menores do que as do módulo IGBT convencional, e com o aumento da frequência de comutação, maior a diferença de perda com o módulo IGBT;

2. Tamanho pequeno do pacote: o tamanho dos componentes eletrônicos de carboneto de silício é menor do que os componentes baseados em silício da mesma especificação e tem menos perda de energia, portanto pode fornecer maior densidade de corrente;

3. Comutação de alta frequência: a taxa de desvio de saturação eletrônica do material de carboneto de silício é duas vezes maior que a do silício, o que ajuda a melhorar a frequência operacional dos componentes;

4. Resistência a altas temperaturas, boa dissipação de calor: a largura da banda de carboneto de silício e a condutividade térmica são cerca de 3 vezes maiores que a do silício, para que possa suportar temperaturas mais altas, o calor gerado é mais fácil de liberar, o que favorece a miniaturização e leveza do sistema .