Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate

Substrato cerâmico da carcaça Si3N4 da carcaça do nitreto de silicone

O substrato cerâmico de nitreto de silício é uma nova geração de materiais de substrato semicondutor, feito de pó de nitreto de silício de alta pureza, com excelente condutividade térmica e isolamento, alta resistência mecânica e dureza, pequeno coeficiente de expansão térmica, bom desempenho de resistência ao choque térmico, amplamente utilizado em semicondutores e circuitos integrados, incluindo componentes de potência, inversores, módulos de potência, circuitos integrados de vários dispositivos, etc.

  • Marca:

    ATCERA
  • Item Nº.:

    AT-DHG-JB001
  • Materiais

    Si3N4
  • Formas

    Substrate
  • Aplicativos

    Semiconductor , Electronics and Electricity
Si3N4 Substrate

Propriedades do Substrato de Nitreto de Silício

1. Resistência a altas temperaturas, a temperatura máxima de uso pode chegar a 1300°C;

2. Grande condutividade térmica, até 95W/(â*m), pequeno coeficiente de expansão térmica, apenas 3*10-6/â, com boa resistência ao choque térmico;

3. Alta resistência mecânica, boa tenacidade, forte resistência ao impacto mecânico;

4. Bom isolamento elétrico, alta tensão de ruptura, grande capacidade de transporte de corrente;

5. Pode resistir à erosão de vários ácidos, álcalis e outras substâncias químicas, a resistência à corrosão é muito boa.

Applications of Si3N4 Substrate

Aplicações de Si3N4 Substrato

O substrato cerâmico de nitreto de silício é usado principalmente na fabricação de semicondutores, eletrônicos e outros dispositivos microeletrônicos, como substrato de chips e componentes eletrônicos, incluindo circuitos integrados (IC), dispositivos de radiofrequência (RF), componentes piezoelétricos, componentes fotoelétricos, sensores, MEMS e outros dispositivos microeletrônicos. Como um material de alto desempenho, o substrato cerâmico de nitreto de silício pode fornecer uma plataforma de suporte estável para garantir a operação normal e o desempenho dos componentes.

1. Aplicações da Indústria Eletrônica

O substrato cerâmico de nitreto de silício tem alto desempenho de isolamento e excelente resistência a altas temperaturas, pode atender aos requisitos de alta confiabilidade e alto desempenho de componentes eletrônicos, usado principalmente na fabricação de componentes eletrônicos, como capacitores eletrônicos, resistores, componentes magnéticos e assim sobre. Além disso, também pode ser usado para fabricar a camada média de equipamentos de comunicação de alta velocidade para garantir a transmissão estável de sinais de alta frequência.

2. Indústria Fotoelétrica

Substratos cerâmicos de nitreto de silício podem fornecer bom desempenho térmico e resistência mecânica, e são amplamente utilizados na indústria fotoelétrica, especialmente na fabricação de LEDs de alta potência, garantindo a estabilidade e vida útil dos componentes do LED. Além disso, também pode ser usado para fabricar materiais de suporte para painéis solares para aumentar sua resistência mecânica e química.

3. Indústria Elétrica

O substrato cerâmico de nitreto de silício tem excelente desempenho de isolamento e boa dissipação de calor, e pode ser usado para fabricar vários componentes elétricos de alta potência, como módulos de potência, módulos de aquecimento, etc., garantindo efetivamente a vida útil e a confiabilidade dos equipamentos elétricos .

Tabela de tamanhos do substrato Si3N4

Estamos comprometidos em fornecer substrato cerâmico de nitreto de silício ideal, adaptado às suas especificações exatas. Nossa equipe dedicada garante o cumprimento meticuloso de suas instruções, esforçando-se para superar as expectativas do cliente. Além disso, oferecemos flexibilidade de tamanhos personalizados para atender às suas necessidades exclusivas.

Os requisitos de desenho e especificação devem ser fornecidos se solicitação de projeto personalizado.

Tolerância de usinagem:
1. Diâmetro: ±0,003mm
2. Profundidade do furo: ±0,005mm
3. Rugosidade da superfície:Ra0,02
4. Cilindricidade: ±0,002mm
5. Concentricidade: ±0,002mm
6. Paralelismo: ±0,002mm

Drawing of Si3N4 Substrate Square and Rectangular

Si3N4 Substrato Quadrado e Retangular
Item nº Comprimento
(mm)
Largura
(mm)
Espessura
(mm)
AT-DHG-JB001 10 10 0,32
AT-DHG-JB002 20 20 0,32
AT-DHG-JB003 30 30 4,0
AT-DHG-JB004 40 40 0,5
AT-DHG-JB005 50 50 0,32
AT-DHG-JB006 50 50 0,635
AT-DHG-JB007 50 50 1,0
AT-DHG-JB008 50 50 2,0
AT-DHG-JB009 50 50 4,0
AT-DHG-JB010 50 50 9,0
AT-DHG-JB011 100 100 0,3
AT-DHG-JB012 100 100 0,5
AT-DHG-JB013 100 100 0,6
AT-DHG-JB014 100 100 1,0
AT-DHG-JB015 100 100 4,0
AT-DHG-JB016 100 100 9,0
AT-DHG-JB017 114 114 0,3
AT-DHG-JB018 114 114 0,5
AT-DHG-JB019 114 114 0,6
AT-DHG-JB020 114 114 1,0
AT-DHG-JB021 190 138 0,3
AT-DHG-JB022 190 138 0,5
AT-DHG-JB023 190 138 0,6
AT-DHG-JB024 190 138 1,0

Drawing of Si3N4 Substrate Round

Si3N4 Substrato Redondo
Item nº Diâmetro
(mm)
Espessura
(mm)
AT-DHG-JB025 5 0,25
AT-DHG-JB026 5 0,32
AT-DHG-JB027 5 0,625
AT-DHG-JB028 5 1
AT-DHG-JB029 10 0,25
AT-DHG-JB030 10 0,32
AT-DHG-JB031 10 0,625
AT-DHG-JB032 10 1
AT-DHG-JB033 20 0,25
AT-DHG-JB034 20 0,32
AT-DHG-JB035 20 0,625
AT-DHG-JB036 20 1
AT-DHG-JB037 40 0,25
AT-DHG-JB038 40 0,32
AT-DHG-JB039 40 0,625
AT-DHG-JB040 40 1
AT-DHG-JB041 50 0,25
AT-DHG-JB042 50 0,32
AT-DHG-JB043 50 0,625
AT-DHG-JB044 50 1
AT-DHG-JB045 100 0,32
AT-DHG-JB046 100 1
AT-DHG-JB047 100 2
AT-DHG-JB048 150 0,32
AT-DHG-JB049 150 1
AT-DHG-JB050 150 2
AT-DHG-JB051 150 20

Dados técnicos de materiais de nitreto de silício

Tipo Si3N4 Sinterização por pressão de gás Si3N4 Sinterização por prensagem a quente Si3N4
Densidade (g/cm3) 3,2 3,3
Resistência à flexão (MPa) 700 900
Módulo Jovem (GPa) 300 300
Proporção de Poisson 0,25 0,28
Resistência à compressão (MPa) 2500 3.000
Dureza (GPa) 15 16
Resistência à fratura (MPa*m1/2) 5~7 6~8
Temperatura máxima de trabalho (â) 1100 1300
Condutividade térmica (W/m*K) 20 25
Coeficiente de expansão térmica (/â) 3*10-6 3,1*10-6
Resistência ao choque térmico (ΔT â) 550 800

*Este gráfico ilustra as características padrão dos materiais de nitreto de silício comumente empregados na fabricação de nossos produtos e peças Si3N4. Esteja ciente de que os atributos dos produtos e peças personalizados de nitreto de silício podem variar dependendo dos processos específicos envolvidos. O parâmetro detalhado é decidido pelo tipo e composição do agente estabilizador.

Instruções de uso

1. Colisão e impacto durante o uso devem evitar danos;
2. A temperatura de trabalho do substrato cerâmico de nitreto de silício deve ser estritamente controlada, devendo ser evitado um longo tempo de trabalho acima da temperatura;
3. O substrato cerâmico de nitreto de silício tem boa resistência à corrosão a ácidos, álcalis, sal e outros produtos químicos, mas o contato com ácido fluorídrico deve ser evitado;
4. A superfície do substrato cerâmico de nitreto de silício é fácil de ser contaminada com poeira e sujeira, o que pode afetar seu desempenho e vida útil, portanto deve ser limpa regularmente durante o uso para manter sua superfície limpa e brilhante.

Informações valiosas

Si3N4 Substrate Packing

Si3N4 Substrato Embalagem

Os substratos cerâmicos de nitreto de silício são cuidadosamente embalados em recipientes apropriados para evitar qualquer dano potencial.

Vantagens de personalização
Vantagens de personalização

1. De acordo com o seu cenário de aplicação, analise as necessidades, escolha o material adequado e o plano de processamento.

2. Equipe profissional, resposta rápida, pode fornecer soluções e orçamentos em até 24 horas após a confirmação da demanda.

3. Mecanismo de cooperação empresarial flexível, suporta pelo menos uma peça de personalização de quantidade.

4. Forneça amostras e relatórios de teste rapidamente para confirmar se o produto atende às suas necessidades.

5. Forneça sugestões de uso e manutenção do produto para reduzir o custo de uso.

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