O eixo de carboneto de silício é feito de pó de carboneto de silício de alta pureza, com excelentes propriedades mecânicas e estabilidade química, usado principalmente em alta temperatura, corrosão e carga pesada e outras condições adversas.

O elemento de aquecimento de carboneto de silício é um elemento de aquecimento elétrico de alta temperatura, que é feito de carboneto de silício verde de alta pureza e negro de fumo por meio de silicificação e recristalização em alta temperatura. Comparado com outros elementos de aquecimento elétrico metálico, tem as vantagens de resistência à corrosão ácida e alcalina, forte resistência à oxidação, grande densidade de carga superficial, rápido aumento de temperatura, boa resistência ao choque térmico, pequeno coeficiente de expansão térmica, alta condutividade térmica, alta temperatura de trabalho, longa vida útil, quando integrado ao sistema de controle eletrônico automático, não apenas a temperatura constante precisa pode ser obtida, mas também pode obter regulação automática da temperatura de acordo com as necessidades do processo de produção.

A dureza da placa à prova de balas de cerâmica de carboneto de silício é alta, chega a ser superior a HV2600 ou mais, e o grau à prova de balas atinge o nível NIJ IV, que pode ser usado como forro de armaduras corporais e armaduras de proteção de veículos, aeronaves e navios.

O substrato é o material básico do chip semicondutor, que pode ser dividido em tipo condutivo e tipo semi-isolante de acordo com a resistividade. Dispositivos semicondutores feitos de substrato de carboneto de silício podem atender melhor aos requisitos de aplicação de alta temperatura, alta tensão e potência maior, o formato é geralmente redondo e o diâmetro é geralmente de 2 polegadas (50 mm), 3 polegadas (75 mm), 4 polegadas (100 mm) ), 6 polegadas (150 mm), 8 polegadas (200 mm) e outras especificações.

O wafer de carboneto de silício, uma nova geração de materiais semicondutores, pode ser usado para fabricar uma variedade de dispositivos eletrônicos, como transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET), diodo Schottky, fotodiodo, etc.

A bandeja de carboneto de silício é formada a partir de pó de carboneto de silício de alta pureza após a sinterização, como um dispositivo de transporte usado no processo de fabricação de semicondutores, como RTA (recozimento térmico rápido), PVD (deposição física de vapor), ICP (plasma acoplado indutivamente, CMP (químico polimento mecânico) e assim por diante.

A principal função do bico é transformar o líquido ou gás na forma, velocidade e direção necessárias através da ação de injeção.

O rolamento de carboneto de silício é um tipo de rolamento de alto desempenho, composto principalmente de anel interno, anel externo e rolos, com características de alta dureza, resistência ao desgaste, peso leve, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, resistência à oxidação, etc., é adequado para ambientes de trabalho adversos e ocasiões de alta velocidade.